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產(chǎn)品概述
外置MOS開關(guān)降壓恒流芯片規(guī)格書
概述
HX3320B是一款高效率高精度開關(guān)降壓型大功率LED恒流驅(qū)動芯片。HX3320B采用固定關(guān)斷時間的鋒值電流控制方式,關(guān)斷時間可以通過外部電容進行調(diào)節(jié),工作頻率可以根據(jù)用戶要求而改變。
HX3320B通過調(diào)節(jié)外置的電流采樣電阻,能控制高亮度的LED燈的驅(qū)動電流,使LED燈亮度達到預(yù)期恒定亮度。
HX3320B在DIM端加PWM信號,可以進行PWM調(diào)光,DIM端同時支持線性調(diào)光。
HX3320B內(nèi)部還集成了VDD穩(wěn)壓管以及過溫保護電路燈,減少外圍元件并提高了系統(tǒng)的可靠性。并采用了SOT23-6封裝。
特點
◆寬壓輸入范圍2.7-100v
◆驅(qū)動電流5A
◆高效率,可達93%
◆支持PWM和線性調(diào)光
◆最大工作頻率:1MHz
◆CS電壓:250mV
◆芯片供電欠電壓保護:2.5V
◆關(guān)斷時間可調(diào)
◆智能過溫保護
◆內(nèi)置VDD穩(wěn)壓管
訂貨信息
定購型號 |
打印 |
封裝 |
最小包裝 |
HX3320B |
NanoDriver HX3320B XXXX |
SOT23-6 |
3000Pcs/盤 |
管腳圖
腳位圖 |
序號 |
管腳 |
功能 |
|
1 |
DRV |
驅(qū)動端,接外部MOS管柵極 |
2 |
VSS |
接地 |
|
3 |
DIM |
調(diào)光腳,支持PWM調(diào)光和線性調(diào)光;DIM接地則關(guān)斷輸出,DIM電壓高過3.0V則電流100%輸出 |
|
4 |
VDD |
芯片電源 |
|
5 |
TOFF |
關(guān)斷時間設(shè)置 |
|
6 |
CS |
電感峰值電流檢測腳 |
應(yīng)用領(lǐng)域
◆LED燈杯 ◆電池供電的燈串 ◆平板顯示LED背光 ◆大功率LED照明
典型應(yīng)用
極限參數(shù)
如無特殊說明,環(huán)境溫度為25℃
符號 |
描述 |
參考范圍 |
單位 |
VDD |
VDD端最大電壓 |
5.5 |
V |
VMAX |
DIM、TOFF與CS腳電壓 |
-0.3∽VDD+0.3 |
V |
PSOT23-6 |
SOT23-6封裝最大功耗 |
0.3 |
W |
TA |
工作溫度范圍 |
-20∽85 |
℃ |
TSTG |
存儲溫度 |
-40∽120 |
℃ |
TSD |
焊接溫度范圍(時間小于30秒) |
240 |
℃ |
TESD |
靜電耐壓值(人體模型) |
2000 |
V |
注:極限參數(shù)超過上表中規(guī)定的工作范圍可能導(dǎo)至器件損壞。而工作在以上條件下可能會導(dǎo)致器件的可靠性。
電特性
如無特殊說明,VDD=5.5V,TA=25℃
參數(shù) |
符號 |
測試條件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
電源電壓 |
||||||
VDD鉗位電壓 |
VDD |
IVDD<10mA |
|
5.5 |
|
V |
欠壓保護電壓 |
VDD_UVLO |
VDD上升 |
|
2.5 |
|
V |
欠壓保護遲滯 |
VDD_HYS |
|
|
0.5 |
|
V |
電源電流 |
||||||
工作電流 |
IOP |
FOP=200KHz |
|
1.3 |
|
mA |
待機輸入電流 |
IINQ |
無負載,EN為低電平 |
|
200 |
|
uA |
峰值電流采樣 |
||||||
VCS閾值 |
VCS_TH |
|
245 |
255 |
265 |
mV |
關(guān)斷時間 |
||||||
最小關(guān)斷時間 |
TOFF_MIN |
TOFF腳無外接電容 |
|
620 |
|
ns |
DIM 調(diào)光 |
|
|
|
|
|
|
線性調(diào)光范圍 |
VDIM |
|
1.1 |
|
3.0 |
V |
DIM關(guān)斷電壓 |
|
|
|
0.2 |
|
V |
DRV驅(qū)動 |
||||||
DRV上升時間 |
TRISE |
DRV腳接500pF電容 |
|
|
50 |
ns |
DRV下降時間 |
TFALL |
DRV腳接500pF電容 |
|
|
50 |
ns |
最小導(dǎo)通時間 |
TON_MIN |
|
|
250 |
|
ns |
過溫保護 |
||||||
過溫調(diào)節(jié) |
OTP_TH |
|
|
130 |
|
℃ |
功能描述
HX3320B采用峰值電流檢測和固定關(guān)斷時間的控制方式。電路工作在開關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷兩咱狀態(tài)。參見首頁所示的典型應(yīng)用電路,當MOS開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時,輸入電壓VIN通過LED燈、電感L1,MOS開關(guān)管、電流檢測電阻RCS對電感充電,流過電感的電流隨充電時間逐漸增大,當電流檢測電阻RCS上的電壓降達到電流檢測閾值電壓VCS_TH時,控制電路關(guān)斷MOS開關(guān)管。當MOS開關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài)時,電感通過由LED燈、續(xù)流二極管以及電感自身組成的環(huán)路對電感儲能放電。MOS開關(guān)管在關(guān)斷一個固定時間TOFF后,重新回到導(dǎo)通狀態(tài),并重復(fù)以上導(dǎo)通與關(guān)斷過程。
TOFF設(shè)置
固定關(guān)斷時間可由連接到TOFF引腳端的電容COFF設(shè)定:
TOFF=0.51*150K?*(COFF+7.3pF)+TD
其中TD=61ns,如果不接COFF,內(nèi)部關(guān)斷時間設(shè)定為650ns。
輸出電流設(shè)置
LED輸出電流由電流采樣RCS以及TOFF等參數(shù)設(shè)定:
ILED=0.25/RCS - (VLED*TOFF)/2L1
其中VLED是LED的正向?qū)▔航担琇1是電感值。
電感取值
為保證系統(tǒng)輸出恒流特性,電感電流應(yīng)該工作在連續(xù)模式,要求的最小電感電流取值為: L1>4VLED*TOFF*RCS
系統(tǒng)工作頻率
系統(tǒng)工作頻率FS由下式確定:
FS=(VIN-VLED)/(VIN*TOFF)
DIM調(diào)光腳
HX3320B可通過DIM腳進行調(diào)光,DIM腳支持PWM調(diào)光及線性調(diào)光。當DIM腳接地,芯片關(guān)斷LED輸出;當DIM腳電壓高過3.0V,LED輸出100%電流。DIM腳線性調(diào)光范圍在1.1-3.0V。當不需要調(diào)光功能時,DIM腳應(yīng)接高電平,DIM腳不允許懸空。在采用線性調(diào)光時,DIM腳對地應(yīng)該接一個小電容(例如10NF以上電容)
芯片布局考慮
電流檢測電阻RCS到芯片CS引腳以及GND引腳的連線需盡量粗而短,以減少連線寄生電阻對輸出電流精度的影響。
供電電阻選擇
HX3320B通過供電電阻RVDD對芯片VDD供電:
RVDD=(VIN-VDD)/IVDD
其中VDD取5.5V,IVDD典型值取2mA,VIN為輸入電壓。當開關(guān)頻率設(shè)置的較高時,芯片工作電流會增大,相應(yīng)地應(yīng)減小供電電阻取值。
芯片內(nèi)部接VDD腳的穩(wěn)壓管最大鉗位電流不超過10mA,應(yīng)注意RVDD的取值不能過小,以免流入的VDD電流超過允許值,否則需外接穩(wěn)壓管鉗位。
過溫保護
當芯片溫度過高時,系統(tǒng)會限制輸入電流峰值,典型情況下當芯片內(nèi)部溫度超過140℃以上時,過溫調(diào)節(jié)開始起作用;隨溫度升高輸入峰值電流逐漸減小,從而限制輸入功率,增強系統(tǒng)可靠性。
PCB設(shè)計說明
1、VDD電容必須靠近芯片的Pin2、Pin4腳(電容離芯片腳不遠于1.5MM),電容的接地端必須同一面,并與VSS最短距離,否則芯片會由于電容的濾波不好而造成不良。
2、VSS(Pin2)腳到CS腳走線盡可能地粗、短,降低接地的寄生電阻。
3、測試時請帶上防靜電手套,除了防止靜電外,更重要是防止在上電測試過程中,人手直接碰觸PCB,造成某兩個節(jié)點短路,造成模塊工作異常引發(fā)失效或者漏電。
4、生產(chǎn)制程中的設(shè)備(如烙鐵、電源機)外殼需要良好的接地,防止設(shè)備的交流漏電損壞芯片。
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